[发明专利]基于金属纳米点沟道的晶体管的制造方法及制得产品有效
| 申请号： | 201410279462.1 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN105448716B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于金属纳米点沟道的晶体管的制造方法及制得产品。通过这种方法能够制造具有金属纳米点的沟道，从而获得不使用半导体的晶体管。该方法包括：一种形成基于金属纳米点沟道的鳍式场效应晶体管的方法，包括：在衬底上形成鳍状结构；在所述鳍状结构表面形成绝缘层；利用间隙填充物填充所述鳍状结构之间的间隙；暴露所述鳍状结构的顶部；在所述间隙填充物和所述鳍状结构的顶部上形成金属纳米点阵列；以及去除所述间隙填充物以及所述间隙填充物上的金属纳米点，以形成仅在所述鳍状结构顶部具有金属纳米点的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 纳米 沟道 晶体管 制造 方法 产品 | ||
【主权项】：
1.一种形成基于金属纳米点沟道的鳍式场效应晶体管的方法，包括：形成部分嵌入衬底的鳍状结构；在所述鳍状结构表面形成绝缘层；利用间隙填充物填充所述鳍状结构之间的间隙；暴露所述鳍状结构的顶部；在所述间隙填充物和所述鳍状结构的顶部上形成金属纳米点阵列；以及去除所述间隙填充物以及所述间隙填充物上的金属纳米点，以形成仅在所述鳍状结构顶部具有金属纳米点的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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