[发明专利]具有复合中心的半导体器件和制造方法

摘要

本公开的实施例涉及具有复合中心的半导体器件和制造方法。一种半导体器件包括具有同一导电类型的一个或多个杂质区的半导体部分。第一电极结构电连接到所述半导体部分的单元区域中的一个或多个杂质区。至少在围绕所述单元区域的边缘区域中，所述半导体部分的复合中心密度高于在所述单元区域的有源部分中的复合中心密度。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体部分，所述半导体部分包括同一导电类型的一个或多个杂质区、杂质层和介于所述一个或多个杂质区和所述杂质层之间的漂移层，所述漂移层包括与所述杂质层直接邻接的基座层，其中所述基座层中的平均净掺杂剂浓度低于所述杂质层并且高于所述漂移层在所述基座层外的部分，并且其中所述半导体部分由第一表面和第二表面以及在所述第一表面和所述第二表面之间延伸的外部表面界定，所述第一表面和所述第二表面彼此相对并且彼此平行；电连接至一个或多个杂质区的第一电极结构，单元区域，包括多个晶体管单元，每个所述晶体管单元包括所述杂质区中的从所述第一表面延伸并且被配置为有源器件区域的一个或多个杂质区，以及围绕所述单元区域的边缘区域，所述边缘区域缺乏任何有源区域，所述边缘区域邻接所述半导体部分的外表面并且将所述单元区域从所述外表面分开，其中晶格空位的密度在所述边缘区域中高于在所述单元区域中，并且金属复合元素的原子的密度在所述边缘区域中高于在所述单元区域中，所述金属复合元素的原子聚集在对应于所述晶格空位的位置处，使得第一区域具有第一复合中心密度并且第二区域具有第二复合中心密度，所述第一复合中心密度高于所述第二复合中心密度，其中所述第一区域包括所述边缘区域的由所述第一表面、所述基座层和所述单元区域界定的部分，以及其中所述第二区域包括所述单元区域的由所述第一表面、所述基座层和所述边缘区域界定的部分。