[发明专利]具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法

摘要

本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。

主权项

一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在晶片的前表面上设置包括第一有源层和凸块的基板，其中所述凸块设置在所述第一有源层的下表面上；在所述第一有源层上形成第一模制层以覆盖所述凸块并向所述基板提供刚性，所述第一模制层包括聚合物材料；在形成所述第一模制层之后，通过去除所述基板的第一背表面而将所述基板减薄以暴露第二背表面，在所述减薄期间，通过将所述第一模制层附接于装置而没有使用粘合剂，所述基板被固定就位；在减薄的基板上形成垫，所述垫电连接到所述基板中的贯穿电极；在所述减薄的基板的所述第二背表面上层叠芯片，所述芯片的有源层面对所述减薄的基板的所述第二背表面；在所述芯片上形成第二模制层来包封所述芯片，以向所述基板提供刚性；以及在形成所述第二模制层之后，研磨所述第一模制层的至少一部分，以暴露所述凸块，其中所述第一模制层具有预定厚度以向所述基板提供刚性，使得所述基板在所述基板被减薄时不弯曲，其中所述第一有源层具有面对所述晶片的所述前表面的上表面和与所述上表面相反的所述下表面。