[发明专利]表面等离激元波导在审
申请号: | 201410279849.7 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN105334573A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 张家森;胡闯;徐亮;金勇;朴硏相 | 申请(专利权)人: | 北京三星通信技术研究有限公司;北京大学;三星电子株式会社 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 100028 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种表面等离激元波导,包括:金属衬底,以及位于所述衬底上的且相互平行的至少2个金属墙;所述金属墙之间形成沟槽,使得表面等离激元在所述沟槽底部的金属衬底表面沿着所述沟槽的延伸方向传播。本发明中,由于金属衬底表面金属墙的存在进而能够在金属墙之间的沟槽中形成金属墙到金属墙的横向局域性的电磁场,限制表面等离激元向金属墙外的传播,使得表面等离激元仅能够在两个金属墙之间沿着金属衬底和介质层的界面上沿着平行于金属壁的方向传播。本发明中,由于金属墙对波导中的表面等离激元有着很好的局域效果,即使两个波导间隔很小也可以避免波导间的串扰。本发明实现了表面等离激元的小半径大角度转弯传播以及在光分束器中的应用。 | ||
搜索关键词: | 表面 离激元 波导 | ||
【主权项】:
一种表面等离激元波导,其特征在于,包括:金属衬底,以及位于所述衬底上的且相互平行的至少2个金属墙;所述金属墙之间形成沟槽,使得表面等离激元在所述沟槽底部的金属衬底表面沿着所述沟槽的延伸方向传播。
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