[发明专利]增强的晶片清洗方法在审
| 申请号： | 201410279936.2 | 申请日： | 2006-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN104091771A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 允锡民;J·M·柏依;M·威尔克逊;J·德赖瑞厄斯 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23G1/00 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种在如图2D所示的单晶片清洗系统(100-2)中去除后处理残余物的方法。所述方法开始于向设置于衬底(108)之上的近程头(106a-3,106b-3)提供第一被加热流体。之后，在所述衬底的表面和所述近程头的相对表面之间形成所述第一流体的弯月面。使所述衬底在所述近程头下面线性移动。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶片清洗系统，包括：多个不同的流体源；在操作上连接至所述流体源的近程头，其中所述近程头包括多个工艺窗，所述多个工艺窗中每个与所述多个不同的流体源之一流体连通；衬底支撑件，其被配置为支撑设置于其上的衬底，所述衬底支撑件或所述近程头线性移动以在所述近程头和所述衬底的相对表面之间形成来自对应流体源的流体的弯月面，所述近程头和所述多个工艺窗沿衬底的直径延伸；以及与所述衬底支撑件通信的控制器，所述控制器通过所述衬底支撑件或所述近程头的移动限定所述流体的弯月面在所述衬底的表面上的滞留时间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰姆研究有限公司，未经兰姆研究有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410279936.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体封装基板结构及其制作方法
- 下一篇：检测晶片的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
