[发明专利]一种OLED阴极结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410280153.6 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104037359B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 赵小虎 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张浴月,石海霞 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种OLED阴极结构及其制造方法，所述OLED阴极结构包括透明电极；以及金属薄膜层，位于所述透明电极上方，且具有凹槽状结构；其中，所述金属薄膜层包括透光区域和导电区域。本发明能够提高OLED的亮度以及降低面电阻，从而提高产品的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 oled 阴极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种OLED阴极结构，其特征在于，包括：透明电极；以及金属薄膜层，位于所述透明电极上方，且具有凹槽状结构；其中，所述金属薄膜层包括透光区域和导电区域，所述透光区域和导电区域通过两次镀膜形成，不同区域的金属薄膜层具有不同厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司，未经上海和辉光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410280153.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
