[发明专利]一种复合结构的可见光层状阵列电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410281030.4 申请日: 2014-06-20
公开(公告)号: CN104120443B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 吴梁鹏;李新军;习敏;李娟 申请(专利权)人: 中国科学院广州能源研究所
主分类号: C25B11/06 分类号: C25B11/06;C25B11/10
代理公司: 广州科粤专利商标代理有限公司44001 代理人: 莫瑶江
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种在可见光照射下具有高光催化效率的复合结构的可见光层状阵列电极。层状阵列电极制备在钛板、钛片、钛丝,钛网、镀钛的FTO或ITO的钛基材料上,复合结构的可见光层状阵列电极自基底向上依次是电子传输层、支撑缓冲层、可见光催化层组成,其特征在于所述的电子传输层为TiO2纳米管阵列,支撑缓冲层为ZnO纳米柱阵列和可见光催化层组成的复合结构的可见光层状阵列电极。该复合结构的层状阵列电极具有较高的光催化效率,可用于太阳能光化学能转换方面中的光催化燃料电池光解水制氢、降解有机物、光催化合成化工品等可见光催化反应。
搜索关键词: 一种 复合 结构 可见光 层状 阵列 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
一种在可见光照射下具有高光催化效率的复合结构的可见光层状阵列电极,其特征在于,所述层状阵列电极制备在钛板、钛片、钛丝,钛网、镀钛膜的FTO或ITO的钛基材料上,复合结构的可见光层状阵列电极自基底向上依次是电子传输层、支撑缓冲层、可见光催化层组成,所述电子传输层为TiO2纳米管阵列,所述支撑缓冲层为ZnO纳米柱阵列,所述可见光催化层为具有可见光响应的半导体材料;所述电子传输层材料的厚度为250~350nm,所述支撑缓冲层材料的厚度为2.5~4μm,所述可见光催化层材料为CdS,可见光催化层的厚度为60~80nm。
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