[发明专利]具有存储层材料的磁性元件有效
| 申请号： | 201410283280.1 | 申请日： | 2010-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104021812B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 朱晓春;李霞;升·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/155 | 分类号： | G11C11/155;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有存储层材料的磁性元件。根据本发明的一实施例，一种磁性隧道结(MTJ)元件包括参考铁磁性层、存储铁磁性层，及绝缘层。所述存储铁磁性层包括经由非磁性子层耦合到CoFe子层及/或NiFe子层的CoFeB子层。所述绝缘层安置于所述参考铁磁性层与存储铁磁性层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存储 材料 磁性 元件 | ||
【主权项】：
1.一种磁性隧道结MTJ元件，其包含：参考铁磁性层；存储铁磁性层，其包含经由非磁性子层耦合到铁磁性辅助子层的钴‑铁‑硼(CoFeB)铁磁性子层，其中所述铁磁性辅助子层包含耦合到镍‑铁(NiFe)子层的钴‑铁(CoFe)子层，其中所述钴‑铁‑硼(CoFeB)铁磁性子层被配置为以铁磁性方式耦合到所述铁磁性辅助子层，且所述镍‑铁(NiFe)子层被配置为减少磁致伸缩诱导的切换电流及切换场变化；以及绝缘层，其安置于所述参考铁磁性层与所述存储铁磁性层之间。
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