[发明专利]双极型晶体管发射极的掺杂方法

摘要

本发明提供一种双极型晶体管发射极的掺杂方法，包括步骤提供发射极待掺杂的双极型晶体管，该双极型晶体管制作于一晶圆上，待掺杂的发射极的位置上方覆盖有掩蔽层，打开掩蔽层的窗口，露出待掺杂的发射极的位置；采用涂胶设备在晶圆上滴涂磷源后旋转涂布，形成一定厚度的第一涂源层，并测量第一涂源层的厚度；将完成了第一次涂源步骤后的晶圆静置0.5～4小时；再次采用涂胶设备在晶圆上滴涂磷源后旋转涂布，形成一定厚度的第二涂源层，并测量第二涂源层的厚度；将完成了第二次涂源步骤后的晶圆在一定时间间隔内进行三氯氧磷的掺杂工艺。本发明能够改善双极型晶体管发射极的微观源分布均匀性，提高模拟器件的相互匹配性和增加成品率。

主权项

一种双极型晶体管发射极的掺杂方法，包括步骤：发射极窗口打开步骤：提供发射极待掺杂的双极型晶体管，所述双极型晶体管制作于一晶圆上，待掺杂的所述发射极的位置上方覆盖有掩蔽层，打开所述掩蔽层的窗口，露出待掺杂的所述发射极的位置；第一次涂源步骤：采用涂胶设备在所述晶圆上滴涂磷源后旋转涂布，形成一定厚度的第一涂源层，并测量所述第一涂源层的厚度；静置步骤：将完成了所述第一次涂源步骤后的所述晶圆静置0.5～4小时；第二次涂源步骤：再次采用涂胶设备在所述晶圆上滴涂磷源后旋转涂布，形成一定厚度的第二涂源层，并测量所述第二涂源层的厚度；三氯氧磷掺杂步骤：将完成了所述第二次涂源步骤后的所述晶圆在一定时间间隔内进行三氯氧磷的掺杂工艺。