[发明专利]有机发光二极管装置及其制造方法有效
申请号: | 201410283411.6 | 申请日: | 2014-06-23 |
公开(公告)号: | CN104253245B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 丁相哲;赵恒燮 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提供了一种有机发光二极管装置及其制造方法。有机发光二极管装置的制造方法包括制备被限定为显示区域和非显示区域的基板;在显示区域中形成包括薄膜晶体管和有机发光层的发光部分,并且在非显示区域中形成焊盘部分;在全部显示区域和非显示区域中顺序地形成牺牲层和包封钝化膜;以及通过激光的照射来从焊盘部分分离牺牲层和包封钝化膜。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有机发光二极管装置的制造方法,所述方法包括:在基板的显示区域中形成发光部分;在所述基板的非显示区域中形成焊盘部分;在所述发光部分和所述焊盘部分上方形成牺牲层;在所述牺牲层上方形成包封钝化膜;以及借助激光的照射来从所述焊盘部分移除所述牺牲层和所述包封钝化膜,其中,所述牺牲层具有比所述包封钝化膜高的针对所照射的激光的吸收率,其中,所述牺牲层具有用于提供由所述发光部分生成的光的相长干涉的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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