[发明专利]光电传感器

摘要

本发明提供一种光电传感器，包括：感光结构，所述感光结构包括衬底和位于所述衬底上的多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和光电二极管；位于所述感光结构上方的光纤导板，所述光纤导板由多个垂直于衬底方向排列的光纤束组成，所述光纤束的孔径小于或等于像素单元的宽度；位于所述感光结构下方的背光源，所述背光源发出的光透过所述感光结构和光纤导板。本发明光电传感器的光纤导板使每个像素单元均能够较独立的探测其上方对应面积上的物体表面的特征，提高了对反射光线的约束性，提高了光电传感器的分辨率，光纤导板由多个垂直排列的光纤束组成，使光电传感器体积更小。

主权项

1.一种光电传感器，其特征在于，包括：感光结构，所述感光结构包括衬底和位于所述衬底上的多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和光电二极管；位于所述感光结构上方的光纤导板，所述光纤导板由多个垂直于衬底方向排列的光纤束组成，所述光纤束的孔径小于或等于像素单元的宽度；位于所述感光结构下方的背光源，所述背光源发出的光透过所述感光结构和光纤导板；其中，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述薄膜晶体管位于第一区域，所述光电二极管位于第二区域；所述薄膜晶体管包括：位于衬底第一区域上的栅极，覆盖于栅极上的第一绝缘层，位于第一绝缘层上的沟道层，位于沟道层上的第一电极、第二电极，所述第一电极、第二电极中间具有露出沟道层的空隙，覆盖于第一电极、第二电极以及沟道层上的第二绝缘层；所述光电二极管包括：位于衬底的第二区域上的N型掺杂半导体层，以及位于所述N型掺杂半导体层上的P型掺杂半导体层，所述薄膜晶体管的第一绝缘层、第二电极、第二绝缘层延伸到衬底的第二区域，所述延伸到衬底的第二区域的第一绝缘层与衬底之间还设有第一遮光层，用于阻挡衬底背光源发出的光从衬底下方进入光电二极管；在两个像素单元的第一遮光层之间设有通光孔，用于使背光源发出的光能从所述通光孔进入感光结构并射入光纤导板；所述第一遮光层的材料为金属，所述第一遮光层与光电二极管的N型掺杂半导体层、接触电极形成存储电容。