[发明专利]一种在碱溶液中利用飞秒激光制备黑硅的方法有效
申请号: | 201410284079.5 | 申请日: | 2014-06-23 |
公开(公告)号: | CN104022190B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 刘世炳;孟娇;宋海英 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/268 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司11335 | 代理人: | 王秀丽 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种在碱溶液中利用飞秒激光制备黑硅的方法,其包括以下步骤步骤1,在温度为22±1℃的条件下,配制质量百分比为2wt%的碱溶液;步骤2,将抛光硅片放入步骤1配置的所述碱溶液;步骤3,用飞秒激光脉冲对所述碱溶液中放入的所述抛光硅片进行扫描处理,获得黑硅。本发明的在碱溶液中利用飞秒激光制备黑硅的方法不需要使用真空设备,节省了成本,而且避免了六氟化硫和硫化氢等含硫元素的危险气体产生。而且制备过程简单易操作,使用的是2wt%的碱溶液,浓度低、成本低廉,几乎不会对环境和人体产生危害,安全性高。 | ||
搜索关键词: | 一种 溶液 利用 激光 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种在碱溶液中利用飞秒激光制备黑硅的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,在温度为22±1℃的条件下,配制质量百分比为2wt%的碱溶液;步骤2,将抛光硅片放入步骤1配置的所述碱溶液;步骤3,用飞秒激光脉冲对所述碱溶液中放入的所述抛光硅片进行扫描处理,获得黑硅;该方法还包括步骤4:步骤4,利用扫描探针显微镜观察所述步骤3获得的黑硅的结构,通过改变所述飞秒激光脉冲的单脉冲能量和扫描速度以及所述碱溶液的温度获得黑硅;所述黑硅的表面呈现丛林状;所述飞秒激光脉冲由钛宝石飞秒激光再生放大器产生;钛宝石飞秒激光再生放大器的中心波长为800nm、脉冲宽度60fs、重复频率1kHz、最大平均功率3W。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410284079.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种矿山机械润滑油供应设备
- 下一篇:煤矿综采工作面机道出入口折叠式护栏
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的