[发明专利]一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法有效
| 申请号： | 201410284235.8 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN104051791B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李传波;张春倩;张大林;薛春来;成步文;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01M10/058 | 分类号： | H01M10/058;H01M4/139 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法，包括取一多晶硅基材料，将该多晶硅基材料制备成多晶硅基纳米材料；将该多晶硅基纳米材料与导电剂、粘结剂及水混合制备成浆料，涂覆于铜集电极薄膜上，烘干称量后形成第一复合薄膜，以该第一复合薄膜作为多晶硅基纳米材料负极；将正极材料与导电剂、粘结剂及水混合，充分搅拌混合制备成浆料，涂覆于铝集电极上，烘烤、称量后形成第二复合薄膜，以该第二复合薄膜作为正极；将该多晶硅基纳米材料负极、该正极与电解液及隔膜组装成电池。该方法制作工艺简单，价格便宜，易于实现产业化生产与应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 纳米 结构 锂电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法，其特征在于，包括：取一多晶硅基材料，将该多晶硅基材料制备成多晶硅基纳米材料；将该多晶硅基纳米材料与导电剂、粘结剂及水混合制备成浆料，涂覆于铜集电极薄膜上，烘干称量后形成第一复合薄膜，以该第一复合薄膜作为多晶硅基纳米材料负极；将正极材料与导电剂、粘结剂及水混合，充分搅拌混合制备成浆料，涂覆于铝集电极上，烘烤、称量后形成第二复合薄膜，以该第二复合薄膜作为正极；以及将该多晶硅基纳米材料负极、该正极与电解液及隔膜组装成电池；其中，所述取一多晶硅基材料，将该多晶硅基材料制备成多晶硅基纳米材料的步骤中，该多晶硅基材料采用多晶硅或多晶硅锗，其中多晶硅选用粉末或块状的多晶硅，块状的多晶硅需磨成粉末；多晶硅锗中的Ge组分为0.1％～50％；该多晶硅基材料为n型、p型或本征掺杂，纯度为95％‑6N；该多晶硅基材料的粉末颗粒大小为5纳米‑10毫米；所述多晶硅基材料制备成多晶硅基纳米材料后，在该多晶硅基纳米材料表面制备壳层结构，步骤为：将制备的多晶硅基纳米材料置于溶液或化学气相外延系统中，在多晶硅基纳米材料表面沉积壳层结构，制备具有壳层结构的多晶硅基纳米材料；所述壳层结构采用的材料为铜、二氧化钛、固体电解质、Ge或Sn，壳层结构的厚度为0.5nm～lmm；所述将该多晶硅基纳米材料与导电剂、粘结剂及水混合制备成浆料，涂覆于铜集电极薄膜上，是将该具有壳层结构的多晶硅基纳米材料与导电剂、粘结剂及水混合制备成浆料，涂覆于铜集电极薄膜上。
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