[发明专利]双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法

摘要

本发明提出了一种双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法，本发明通过在二极管内设置同时形成的且具有相同导电类型、掺杂浓度和形状的第二有源区和第三有源区，将传统的双向瞬态电压抑制二极管的纵向NPN或PNP结构转化为横向NPN或者PNP结构，并通过由导通层、埋层和第一有源区形成的电流通道，使得本发明的双向瞬态电压抑制二极管无论是施加正向电压还是反向电压，都能保证正反向抑制电压对称，而且整体器件结构为纵向结构，保证了其过电流能力，不影响封装。

主权项

1.一种双向瞬态电压抑制二极管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为重掺杂；在所述衬底内形成有埋层，所述埋层掺杂浓度大于所述衬底掺杂浓度，所述埋层导电类型与所述衬底的导电类型相同；在所述衬底的正面形成有外延层，所述外延层为轻掺杂，其导电类型与所述衬底的导电类型相同；在所述外延层内形成有阱区，其导电类型与所述衬底的导电类型相反；在所述外延层内，位于所述埋层上方的位置上形成有第一有源区，其导电类型与所述衬底的导电类型相同;在所述阱区内，位于所述第一有源区水平的方向上同时形成有第二有源区和第三有源区，所述第二有源区和第三有源区具有相同的导电类型和掺杂浓度，其掺杂浓度大于所述外延层掺杂浓度，且其导电类型与所述第一有源区导电类型相同，所述第二有源区与所述第三有源区的形状相同，所述第二有源区和所述阱区形成的PN结面积与所述第三有源区和所述阱区形成的PN结面积之比为100:1‑1:100，所述第二有源区和所述第三有源区分别与所述阱区形成的PN结面积相等；在所述埋层和所述第一有源区之间形成有导通层，所述导通层使所述埋层和所述第一有源区相连形成完整的电流通道；在所述外延层之上形成有保护层，所述保护层上有若干个接触孔，使所述第一有源区、第二有源区和第三有源区部分暴露；在所述保护层之上和所述接触孔内形成有互不相连的阳极金属层和桥接金属层；所述阳极金属层与所述第二有源区相连，所述第三有源区通过所述桥接金属层与第一有源区相连；在所述衬底的背面形成有阴极金属层。