[发明专利]一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器

摘要

本发明公开了一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器，在本体内设有由二组分别平行设置的若干气体分配管之间按水平交错方向相互连通形成的气体分配网络，各气体分配管之间从网络中心向外侧方向横截面积依次对称缩小，并在各气体分配管的下方管壁均匀设有向本体下表面通出的出气管，使从网络中心位置的进气管通入的反应气体或蒸汽可由出气管垂直均匀地吹向所覆盖的硅片表面，并可使吹扫气体容易将位于网络边缘位置的气体分配管内的残留气体吹扫干净，不但可以提高通入气体的均匀性，提高反应及吹扫效率，节约气体消耗及缩小设备体积，还可以避免因吹扫不干净在ALD反应中误发生CVD反应。

主权项

一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器，设于原子层沉积设备反应腔室的顶部内壁，位于放置硅片的基座正上方，其特征在于，所述气体分配器包括：本体，所述本体的上表面开有进气口，下表面开有规律分布的多数个出气口，全部的所述出气口在垂直所述基座方向形成的投影区域能够将所述基座上放置的所述硅片覆盖在内；气体分配网络，设于所述本体内，包括二组分别平行设置的若干气体分配管之间按水平交错方向相互连通形成的网状气体分配管路通道，所述气体分配网络以其中2个交错的主气体分配管的交叉点为中心向所述本体的侧部展开，所述气体分配网络中的各个所述气体分配管向所述本体的侧部延伸，并在所述本体的侧部具有封闭端；在2个所述主气体分配管的所述交叉点处的上方管壁设有进气管，所述进气管向所述本体的所述进气口通出，并连通所述原子层沉积设备的进气源管路；在各个所述气体分配管的下方管壁分别均匀设有若干出气管，所述出气管的数量与所述本体的所述出气口的数量一致，各个所述出气管分别向对应位置的所述本体的各个所述出气口通出，并垂直朝向所述基座设置；其中，2个所述主气体分配管的横截面积一致，位于2个所述主气体分配管各自两侧的各个所述气体分配管按从所述主气体分配管向外侧方向横截面积依次缩小设置，位于2个所述主气体分配管各自两侧对称位置的所述气体分配管的横截面积一致，位于交错方向的与对应的所述主气体分配管之间具有等次序数的所述气体分配管的横截面积一致。