[发明专利]新型晶圆级MEMS芯片封装结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201410286507.8 申请日: 2014-06-24
公开(公告)号: CN104445046A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 万里兮;韩磊;王晔晔;范俊;沈建树;张春艳;黄小花;戴青;廖建亚;钱静娴;王刚;卢梦泽;夏文斌 申请(专利权)人: 华天科技(昆山)电子有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 昆山四方专利事务所 32212 代理人: 盛建德;段新颖
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种新型晶圆级MEMS芯片封装结构及其封装方法,该封装结构包括MEMS芯片和覆盖硅板,MEMS芯片的正面与覆盖硅板的正面用一密封圈和间隔排布的若干个用于电连接MEMS芯片的PIN脚的金属凸点键合连接;覆盖硅板的背面设有布线电路,覆盖硅板的周边设有与金属凸点对应的导电通孔,且导电通孔位于密封圈和金属凸点之间,导电通孔电连接金属凸点和布线电路。本发明封装结构将封装过程巧妙的移植到覆盖硅板上,避免了在MEMS芯片背面进行加工,从而使得可操作空间更大,使得更加复杂的MEMS芯片能够得到稳定地电性能导通并且可以方便快捷地封装。
搜索关键词: 新型 晶圆级 mems 芯片 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
一种新型晶圆级MEMS芯片封装结构,其特征在于:包括MEMS芯片(A)和覆盖硅板(B),所述MEMS芯片的正面与所述覆盖硅板的正面用一密封圈和间隔排布的若干个用于电连接所述MEMS芯片的PIN脚的金属凸点键合连接;所述覆盖硅板的背面设有布线电路,所述覆盖硅板的周边设有与所述金属凸点对应的导电通孔,且所述导电通孔位于所述密封圈和所述金属凸点之间,所述导电通孔电连接所述金属凸点和所述布线电路。 
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