[发明专利]一种可重构的CMOS图像传感器芯片及其形成方法有效
| 申请号： | 201410286856.X | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104092963B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李琛 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可重构CMOS图像传感器芯片，包括多个图像传感器芯片单元，每个图像传感器芯片单元包括上下两层芯片，其中，上层芯片为背照感光式芯片，其正面具有像素阵列，背面形成硅通孔结构，所述硅通孔结构用于在上下两层芯片间形成垂直导通以将所述像素阵列输出的模拟信号引出；下层芯片的正面具有互连结构、数据处理电路以及数据输出电路；所述互连结构的顶层金属互连位于与所述硅通孔结构对应的位置并与硅通孔结构电连接；数据处理电路与所述互连结构相连并将所述模拟信号转换为数字信号；数据输出电路与所述数据处理电路相连，用于将数字信号输出。本发明能够提高图像传感器芯片的设计效率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可重构 cmos 图像传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种可重构的CMOS图像传感器芯片，其特征在于，包括多个图像传感器芯片单元，每个所述图像传感器芯片单元包括上下两层芯片，其中，上层芯片为背照感光式芯片，其正面具有像素阵列，背面形成硅通孔结构，所述硅通孔结构用于在所述上下两层芯片间形成垂直导通以将所述像素阵列输出的模拟信号引出；下层芯片的正面具有互连结构、数据处理电路以及数据输出电路；所述互连结构的顶层金属互连位于与所述硅通孔结构对应的位置并与所述硅通孔结构电连接；所述数据处理电路与所述互连结构相连并将所述模拟信号转换为数字信号；所述数据输出电路与所述数据处理电路相连，其纵向或横向设置于所述下层芯片中，用于将所述数字信号输出；其中，所述多个图像传感器芯片单元组成图像传感器芯片单元阵列，该阵列中同一列或同一行的各所述图像传感器芯片单元的数据输出电路依次连接以形成一纵向或横向的数据传输通道。
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