[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201410287476.8 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104241369A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 徐东灿;高铤槿;郑圣勋;李宽钦;李化成;金傔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍型有源图案，突出在器件隔离层之上；栅极电极，在器件隔离层上并交叉鳍型有源图案；抬高的源极/漏极，在栅极电极两侧的鳍型有源图案上；以及鳍间隔物，在鳍型有源图案的侧壁上，该鳍间隔物具有低介电常数并在器件隔离层和抬高的源极/漏极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：鳍型有源图案，突出在器件隔离层之上；栅极电极，在所述器件隔离层上并交叉所述鳍型有源图案；抬高的源极/漏极，在所述栅极电极的两侧的所述鳍型有源图案上；和鳍间隔物，在所述鳍型有源图案的侧壁上，所述鳍间隔物具有低介电常数并在所述器件隔离层和所述抬高的源极/漏极之间。
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