[发明专利]一种横向氧化锌纳米棒阵列发光二极管有效
| 申请号： | 201410287509.9 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104051589B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张雄;王翼;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/28 | 分类号： | H01L33/28 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向氧化锌纳米棒阵列发光二极管,包括自下而上依次设置的蓝宝石衬底(101)、二氧化硅绝缘层(102)、氮化镓缓冲层(103)，所述氮化镓缓冲层(103)的矩形刻蚀槽一侧边上设置有p区电极(106)，而与该侧边相对的另一侧边上设置有块状n+‑ZnO(104)，所述块状n+‑ZnO(104)上设置有ITO‑ZnO薄膜的n区电极(105)，还包括ZnO纳米棒阵列(107)，所述ZnO纳米棒阵列的两端分别设置有n型区和p型区，同时所述ZnO纳米棒阵列通过p型区、n型区分别与p区电极(106)、块状n+‑ZnO(104)连接,本发明不仅光提取效率高，而且电子的注入效率高同时成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 氧化锌 纳米 阵列 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种横向氧化锌纳米棒阵列发光二极管，其特征在于：包括自下而上依次设置的蓝宝石衬底(101)、二氧化硅绝缘层(102)、氮化镓缓冲层(103)，所述氮化镓缓冲层(103)的中心开设有矩形刻蚀槽，所述矩形刻蚀槽一侧边上设置有p区电极(106)，而与该侧边相对的另一侧边上设置有块状n+‑ZnO(104)，所述块状n+‑ZnO(104)上设置有n区电极(105)，且所述n区电极为ITO‑ZnO薄膜；还包括ZnO纳米棒阵列(107)，所述ZnO纳米棒阵列的两端分别设置有n型区和p型区，且n型区和p型区分别进行p型、n型掺杂，同时所述ZnO纳米棒阵列通过p型区、n型区分别与p区电极(106)、块状n+‑ZnO(104)连接。
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