[发明专利]易潮解晶体的磁流变抛光方法有效
| 申请号： | 201410288335.8 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104084849A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 戴一帆;胡皓;陈少山;石峰;彭小强;关朝亮 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;C09G1/02 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种易潮解晶体的磁流变抛光方法，包括（1）配制非水基磁流变抛光液；（2）将非水基磁流变抛光液加入磁流变机床循环系统中进行两次磁流变抛光加工；（3）两次磁流变抛光加工完成后，采用芳香烃对所得易潮解晶体迅速进行清洗，完成易潮解晶体的磁流变抛光处理。本发明的方法工艺流程简单、可操作性强、能加工出满足强光光学系统对晶体高中低各频段要求的高精度、超光滑易潮解晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 潮解 晶体 流变 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种易潮解晶体的磁流变抛光方法，包括以下步骤：（1）配制非水基磁流变抛光液，所述非水基磁流变抛光液包括烷氧基醇、磁敏颗粒、表面活性剂和去离子水；（2）将非水基磁流变抛光液加入磁流变机床循环系统中，对待加工的易潮解晶体进行第一次磁流变抛光加工，经芳香烃清洗后，再进行第二次磁流变抛光加工；（3）第二次磁流变抛光加工完成后，迅速采用芳香烃对所得易潮解晶体进行清洗，完成易潮解晶体的磁流变抛光处理。
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