[发明专利]反射式速调管及电子发射装置有效

专利信息
申请号: 201410288346.6 申请日: 2014-06-25
公开(公告)号: CN105336560B 公开(公告)日: 2017-11-14
发明(设计)人: 柳鹏;陈丕瑾;周段亮;张春海;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种反射式速调管包括电子发射装置,电子发射装置包括一电子发射结构和一电子反射结构相对设置,其中,该电子反射结构包括反射极、第二栅网;该电子发射结构包括阴极、电子引出极、电子发射体、第一栅网,其中,该电子发射体与所述阴极电连接,该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体,所述电子发射体包括多个子电子发射体,每个子电子发射体具有一电子发射端,每一电子发射端至电子引出极的所述通孔的侧壁的最短距离基本一致,每一电子发射端与反射极之间的距离大于等于10微米小于等于200微米,所述反射式速调管内的压强小于等于100帕。本发明还提供一种电子发射装置。
搜索关键词: 反射 速调管 电子 发射 装置
【主权项】:
一种反射式速调管,其包括:一第一基板和一第二基板,该第一基板和第二基板配合设置形成一谐振腔体;一透镜,该透镜设置于该谐振腔体的一端形成一输出端;以及一电子发射装置,该电子发射装置向所述谐振腔体内部发射电子,该电子在谐振腔体内振荡,最终由输出端输出,所述电子发射装置包括:一电子发射结构和一电子反射结构分别设置在第一基板和第二基板,且相对设置,其中,该电子反射结构包括:反射极、第二栅网;该电子发射结构包括:阴极、电子引出极、电子发射体和第一栅网,其中,该电子发射体与所述阴极电连接,该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体,所述电子发射体包括多个子电子发射体,每个子电子发射体具有一电子发射端,每一电子发射端至电子引出极的所述通孔的侧壁的最短距离基本一致,每一电子发射端与反射极之间的距离大于等于10微米小于等于200微米,所述反射式速调管内的压强小于等于100帕,所述反射极的电位负于所述阴极的电位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410288346.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top