[发明专利]一种1550nm长波长垂直腔面发射激光器的制备方法及其应用

摘要

本发明公开了一种InGaAsN/AlGaInAs量子阱为有源层的1550nm长波长垂直腔面发射激光器，其特点在于有源层为InP基的InGaAsN/AlGaInAs的QWs以及AlGaAsSb/AlAsSb作为DBR材料。它的谐振腔腔长为1λ以实现更好的出光效果。另外本发明采用双层氧化限制层的结构使面发射激光器在性能上进一步改善，提高了单模输出功率，实现1550nm的长波长传输。该激光器包括P型DBR层、有源层、N型DBR层、衬底、SiO₂绝缘层、透明导电介质ZnO、P型电极和N型背面电极。整个结构在材料上是晶格匹配的，因此可以广泛的应用外延技术。本发明的垂直腔面发射激光器制造工艺简单，重复性好，容易推广。

主权项

一种InGaAsN/AlGaInAs量子阱为有源层的1550nm长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于结构包括InP衬底、底部分布反馈布拉格腔镜和顶部分布反馈布拉格腔镜，中间夹有一个光学谐振微腔；光学谐振微腔包含包层，有源增益层和双层氧化限制层，它的谐振腔腔长为1λ，有源层是InP基的InGaAsN/AlGaInAs材料的QWs，AlGaAsSb/AlAsSb作为DBR材料；以光刻胶作掩膜，利用相关工艺，形成SiO₂绝缘层、透明导电介质层以及金属电极层；通过与SOI基下端反射耦合层的连接实现光电子集成。