[发明专利]嵌入温度传感器的无源超高频超低功耗RFID标签芯片有效

专利信息
申请号: 201410289331.1 申请日: 2014-06-25
公开(公告)号: CN104156757B 公开(公告)日: 2017-04-05
发明(设计)人: 赵犁;粱锦和;崔志英;阿明·贝尔马克;王波;徐旻;刘健 申请(专利权)人: 赵犁
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077;G01K7/00
代理公司: 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙)33217 代理人: 胡根良
地址: 310012 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种嵌入温度传感器的无源超高频超低功耗RFID标签芯片。其包括电源管理模块,调制解调模块,时钟产生模块,数字基带模块,温度传感器模块及存储器。通过对嵌入温度传感器的无源超高频RFID标签芯片的低功耗处理可以提高嵌入温度传感器的RFID标签芯片的灵敏度及读写距离,同时将所嵌入的温度传感器进行高精准度和低误差的处理可以得到更稳定和准确的温度测量值,提供更可靠的温度数据。
搜索关键词: 嵌入 温度传感器 无源 超高频 功耗 rfid 标签 芯片
【主权项】:
嵌入温度传感器的无源超高频超低功耗RFID标签芯片,包括电源管理模块,调制解调模块,时钟产生模块,数字基带模块,温度传感器模块及存储器,其特征在于:所述温度传感器模块包括带隙基准电路,时域比较电路和模数转换电路;带隙基准电路连接于时域比较电路,时域比较电路连接于模数转换电路,带隙基准电路用于感知温度,所述带隙基准电路包括自启动电路,带隙基准核心电路及电流输出电路,所述温度传感器模块供电电压由电源管理模块提供,带隙基准电路供电电压的上电和断开由数字基带模块通过开关S1进行控制,所述自启动电路由2个PMOS管M1、M2及4个NMOS管M3‑M6组成,其中M2的漏端与M3的漏端相连,M2的栅极连接到节点1,M3~M6依次以二极管接法作为电阻串联,M1的栅极连接于M2和M3之间;M1的漏极连接于供电电压,M1的源极连接于带隙基准核心电路中的节点2。
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