[发明专利]静电保护电路、光电装置及电子设备

摘要

本发明提供更强地抑制静电影响的静电保护电路、光电装置及电子设备。本发明涉及的静电保护电路，其特征为：在第1布线(321)，电连接有第1p型晶体管(310a)的漏(315a)和第1n型晶体管(330a)的栅(333a)及源(334a)；在第2布线(322)，电连接有第1p型晶体管(310a)的栅(313a)及源(314a)、第1n型晶体管(330a)的漏(335a)、第2p型晶体管(310b)的漏(315b)和第2n型晶体管(330b)的栅(330b)及源(334b)；在第3布线(323)，电连接有第2p型晶体管(310b)的栅(313b)及源(314b)和第2n型晶体管(330b)的漏(335b)。

主权项

1.一种静电保护电路，其特征在于，包括：第1p型晶体管，第1n型晶体管，第2p型晶体管，第2n型晶体管，第1布线，供给第1电位，第2布线，对基板供给数据信号，和第3布线，供给高于该第1电位的第2电位，所述第1p型晶体管设置于所述第1布线与所述第2布线之间，所述第1p型晶体管的源及漏之中的一个连接于所述第1p型晶体管的栅，所述第1p型晶体管的源及漏之中的另一个连接于所述第1布线；所述第1n型晶体管设置于所述第1布线与所述第2布线之间，所述第1n型晶体管的源及漏之中的一个连接于所述第1n型晶体管的栅，所述第1n型晶体管的源及漏之中的另一个连接于所述第2布线；所述第2p型晶体管设置于所述第3布线与所述第2布线之间，所述第2p型晶体管的源及漏之中的一个连接于所述第2p型晶体管的栅，所述第2p型晶体管的源及漏之中的另一个连接于所述第2布线；所述第2n型晶体管设置于所述第3布线与所述第2布线之间，所述第2n型晶体管的源与漏之中的一个连接于所述第2n型晶体管的栅，所述第2n型晶体管的源及漏之中的另一个连接于所述第3布线。