[发明专利]一种可重构的硅基磁逻辑单元有效
申请号: | 201410289592.3 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN104052464B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 章晓中;罗昭初;熊成悦 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人: | 陈波 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及半导体材料,特别是一种可重构的硅基磁逻辑单元。硅基磁逻辑单元包含一个或两个可重构的硅基磁逻辑器件、一个或两个磁场发生器以及一个或两个控制监测电路。磁逻辑器件包含四个一定几何形状的电极,分别位于长条型硅单晶基片的四角,在基片长边两个电极间并联二极管;磁场发生器为磁性材料或线圈;控制监测电路包含分别并联于基片两条短边上两个电极间的电流源和电压表。对磁逻辑单元或由之组合形成的磁逻辑阵列,视磁场发生器的磁场方向为逻辑输入,视电压表所并联的短边两电极的极间电压或多个此极间电压的和为逻辑输出,只需配置控制监测电路的连接方式和调节电流源的工作电流大小,而无需改变电路硬件结构,就可实现多种逻辑运算。 | ||
搜索关键词: | 一种 可重构 硅基磁 逻辑 单元 | ||
【主权项】:
一种可重构的硅基磁逻辑单元,其特征在于,包含可重构的硅基磁逻辑器件、磁场发生器以及控制监测电路;所述硅基磁逻辑器件包含硅单晶基片、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、二极管;所述磁场发生器位于磁逻辑器件的上面、下面、左边、右边、前面或者后面;所述控制检测电路包含电流源与电压表,电流源与电压表分别并联在磁逻辑器件两个短边的两个电极之间;控制检测电路的配置方式与电流源的工作电流大小决定硅基磁逻辑单元实现的逻辑运算;所述硅基磁逻辑器件、控制监测电路和磁场发生器均为一个或两个,控制监测电路的数量与硅基磁逻辑器件的数量一致,磁场发生器的数量与硅基磁逻辑器件的数量相同或不相同。
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