[发明专利]一种循环浸渍制备Cu2ZnSn(S1‑x,Sex)4纳米晶薄膜的方法有效
申请号: | 201410290542.7 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN104064626B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 董立峰;马帅;曹磊;隋静 | 申请(专利权)人: | 青岛科技大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 青岛高晓专利事务所(普通合伙)37104 | 代理人: | 黄晓敏 |
地址: | 266061 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明属于纳米晶体薄膜制备技术领域,涉及一种循环浸渍制备Cu2ZnSn(S1‑x,Sex)4纳米晶薄膜的方法,先配制阳离子前驱液和阴离子前驱液;再分别在两个反应容器中加入与阳离子前驱液液面持平的去离子水构成循环浸渍反应体系;用氨水和盐酸分别调节阳、阴离子前驱液的pH值;然后将衬底以阳离子前驱液、去离子水、阴离子前驱液、去离子水为一周期的顺序依次交替循环浸渍后得到前驱体薄膜;最后将制得的前驱体薄膜经退火和冷却后得到Cu2ZnSn(S1‑x,Sex)4纳米晶薄膜;其制备工艺简单,使用设备简单,所需原料储量丰富,操作简便,成本低,所得产物的薄膜厚度可控性强,适合制备大面积薄膜,发展空间大。 | ||
搜索关键词: | 一种 循环 浸渍 制备 cu sub znsn se 纳米 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种循环浸渍制备Cu2ZnSnS4纳米晶薄膜的方法,其特征在于具体制备工艺包括以下步骤:(1)、分别配制好浓度为0.02mol/L的CuSO4·5H2O溶液、0.01mol/L的ZnSO4·7H2O溶液、0.02mol/L的SnCl2·2H2O溶液和0.16mol/L Na2S·9H2O;(2)、阳离子前驱液的配制:用量筒分别量取10ml的CuSO4·5H2O溶液、10ml的ZnSO4·7H2O溶液和10ml的SnCl2·2H2O后混合在一起放置于50ml的烧杯中,加入5.845g的尿素,在室温下搅拌均匀后,转移到50℃的水浴锅内,用稀氨水调节其pH值为3.0,得到阳离子前驱液;(3)、阴离子前驱液的配制:用量筒分别量取30ml的Na2S·9H2O溶液置于50ml的烧杯内,转移到50℃的水浴锅内,用稀盐酸调节其pH值为6.0,得到阴离子前驱液;(4)、用量筒分别量取30ml的去离子水置于两个50ml的烧杯中,然后转移到50℃的水浴锅内,与步骤(2)和(3)分别配制的阳离子前驱液和阴离子前驱液构成循环浸渍反应体系;(5)、把经过去离子水、丙酮和乙醇清洗干净的导电玻璃浸入到阳离子前驱液中进行阳离子吸附,时间为15秒,再浸入到去离子水中15秒,接着浸入到阴离子前驱液中15秒,最后把导电玻璃浸入另一杯去离子水中15秒,完成一个连续离子层吸附反应循环;重复以上循环50次,在导电玻璃上得到前驱体薄膜;(6)、将制备的前驱体薄膜在氩气和蒸发硫的混合气氛中,550℃退火1小时,在导电玻璃上得到Cu2ZnSnS4纳米晶薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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