[发明专利]FinFET器件的结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法。该方法包括在衬底上方形成第一鳍结构，在衬底上方形成图案化的氧化硬掩模(OHM)以暴露n型FET区的第一栅极区中的第一鳍结构，在第一栅极区中的第一鳍结构的中部中形成半导体氧化物部件，在PFET区中形成第二鳍结构，形成伪栅极，形成源极/漏极(S/D)部件，由NFET区中的第一高k/金属栅极(HK/MG)和PFET区中的第二HK/MG替换伪栅极。本发明也提供了FinFET器件的结构及其形成方法。

主权项

一种制造鳍式场效应晶体管的方法，包括：提供具有n型鳍式场效应晶体管(NFET)区和p型鳍式场效应晶体管(PFET)区的衬底；在所述NFET区和所述PFET区中形成第一鳍结构；在所述NFET区和所述PFET区上方形成图案化的氧化硬掩模(OHM)以暴露所述NFET区的第一栅极区中的所述第一鳍结构；在所述第一栅极区中的所述第一鳍结构的中部中形成半导体氧化物部件；在以硬掩模层覆盖所述NFET之后在所述PFET区中形成第二鳍结构；在所述第二鳍结构中的第二栅极区和所述第一栅极区中形成伪栅极；在所述NFET中的所述第一鳍结构中的第一源极/漏极(S/D)区中形成第一S/D部件；在PFET中的所述第二鳍结构中的第二S/D区中形成第二S/D部件；由所述NFET区中的第一高k/金属栅极(HK/MG)替换所述伪栅极，并且所述第一HK/MG环绕在所述第一栅极区中的所述第一鳍结构的上部上方；以及由所述PFET区中的第二HK/MG替换所述伪栅极，并且所述第二HK/MG环绕在所述第二栅极区中的所述第二鳍结构的上部上方。