[发明专利]磁性存储装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201410291400.2 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104282832B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 李俊明;李仑宰;金佑填 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 尹淑梅,戴嵩玮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种磁性存储装置及其形成方法。该磁性存储装置可以包括自由磁性结构，隧道势垒层和钉扎磁性结构，其中，隧道势垒层位于自由磁性结构和钉扎磁性结构之间。钉扎磁性结构可以包括第一钉扎层和第二钉扎层以及位于第一钉扎层和第二钉扎层之间的交换耦合层。第二钉扎层可以位于第一钉扎层和隧道势垒层之间，第二钉扎层可以包括结磁性层以及位于结磁性层和交换耦合层之间的缓冲层。缓冲层可以包括包含非磁性金属元素的材料的层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性存储装置，所述磁性存储装置包括：自由磁性结构；隧道势垒层；以及钉扎磁性结构，其中，隧道势垒层位于自由磁性结构和钉扎磁性结构之间，其中，钉扎磁性结构包括第一钉扎层和第二钉扎层以及位于第一钉扎层和第二钉扎层之间的交换耦合层，其中，第二钉扎层位于第一钉扎层和隧道势垒层之间，其中，第二钉扎层包括结磁性层以及位于结磁性层和交换耦合层之间的缓冲层，其中，缓冲层包括包含非磁性金属元素的材料的层，其中，结磁性层和缓冲层具有不同的结晶特性，其中，结磁性层的结晶度比缓冲层的结晶度高。
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