[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 201410291474.6 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104022196B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 舒立明;张东炎;刘晓峰;王良钧;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延片制备方法，该外延片制备方法包括以下步骤1）对衬底进行热处理；2）在经过热处理的衬底上，由下至上依次生长低温缓冲层、氮化镓基板层、N型氮化镓层、多量子阱有源区、低温P型层、高温P型层；3）其中在氮化镓基板层、N型氮化镓层、低温P型层与高温P型层的生长过程中，采用短时间内关闭镓源通入铝源方式生长AlxGa1~xN层，通过控制铝源通入频次、氨气是否通入及铝源通入量可以有效的释放外延片生长过程中积聚的应力；在低温P型层中形成电子阻挡层，阻挡电子过冲至P型区；并在N型氮化镓层和高温P型层结构中形成具备一定分布梯度的二维电子气，从而提高外延性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管外延片制备方法，包括步骤：对衬底进行热处理；在热处理后衬底上，依次生长低温缓冲层、氮化镓基板层、N型氮化镓层、多量子阱有源区、低温P型层、高温P型层，其中低温P型层/高温P型层为氮化镓或InyGa1‑yN层（0<y≤1）；其特征在于：在所述氮化镓基板层、N型氮化镓层、低温P型层、高温P型层生长过程中，采用关闭镓源，通入铝源形成AlxGa1~xN薄层结构，其中0≤x<1，通过控制此动作频次以及铝源通入量对外延结构中铝组分进行优化调整，得到所述氮化镓基发光二极管外延片。
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