[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

摘要

一种薄膜晶体管制造方法，包括下列步骤。于基板上依序形成栅极、栅绝缘层及半导体层。于半导体层上形成第一光阻图案。以第一光阻图案为罩幕图案化半导体层，以形成信道。以光罩为罩幕图案化第一光阻图案，以形成信道保护图案。于基板上形成导电层，以覆盖信道保护图案及信道。于导电层上形成第二光阻材料层。再度以光罩为罩幕图案化第二光阻材料层，以形成第二光阻图案。第一光阻图案与第二光阻图案的一为正型光阻，而第一光阻图案与第二光阻图案的另一为负型光阻。以第二光阻图案为罩幕图案化导电层，以形成源极与漏极。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：于一基板上形成一栅极；于该基板上形成一栅绝缘层，以覆盖该栅极；于该栅绝缘层上形成一半导体层；于该半导体层上形成一第一光阻材料层；图案化该第一光阻材料层，以于该半导体层上形成一第一光阻图案；以该第一光阻图案为罩幕图案化该半导体层，以形成一信道；以一光罩为罩幕图案化该第一光阻图案，以形成一信道保护图案，其中该信道保护图案暴露出该信道的相对二端；于该基板上形成一导电层，以覆盖该信道保护图案以及该信道的相对二端；于该导电层上形成一第二光阻材料层；再度以该光罩为罩幕图案化该第二光阻材料层，以形成一第二光阻图案，其中该第一光阻图案与该第二光阻图案的一为正型光阻，而该第一光阻图案与该第二光阻图案的另一为负型光阻；以及以该第二光阻图案为罩幕图案化该导电层，以形成分别覆盖该信道的相对二端的一源极与一漏极。