[发明专利]一种基于MWCNTs-QDs的纳米荧光仿生传感器及其制备方法有效
申请号: | 201410293007.7 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN104062275A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 朱利民;丁兆强;聂华丽;陶磊 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人: | 黄志达 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于MWCNTs-QDs的纳米荧光仿生传感器及其制备方法,以MWCNTs-QDs纳米复合材料为载体,BSA为模板分子,制备特异性识别BSA的纳米仿生传感器。制备:制备水溶性CdTe/CdS核壳结构量子点和PEI-MWCNTs;然后将CdTe/CdS量子点负载到PEI-MWCNTs表面得到MWCNTs-QDs;以MWCNTs-QDs为基体,利用sol-gel反应在其表面修饰BSA印迹的分子印迹聚合物。本方法采用表面印迹的方式合成的纳米荧光传感器有效识别位点多,且接近表面,比表面积大,易于选择性识别模板分子。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 mwcnts qds 纳米 荧光 仿生 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于MWCNTs‑QDs的纳米荧光仿生传感器,其特征在于:以MWCNTs‑QDs纳米复合材料为载体,BSA为模板分子,制备特异性识别BSA的纳米荧光仿生传感器。
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