[发明专利]R‑VGF法生长高质量化合物半导体单晶工艺有效
| 申请号： | 201410293610.5 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104073872B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 徐兰兰;张学锋;王玉辰 | 申请（专利权）人： | 大庆佳昌晶能信息材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 163000 黑龙江省*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提出R‑VGF法生长高质量化合物半导体单晶工艺。即R‑VGF（Rotation‑Vertical Gradient Freeze）法，是在VGF法单晶生长工艺的基础上，加入旋转工艺，可获得均匀分布的径向温场，有利于轴向温场进行有效散热，从而获得适宜高质量单晶生长的温场环境；在升温熔料阶段，转速1~20r/min，在晶体生长降温阶段转速1~10r/min。应用R‑VGF法生长的化合物单晶，有利于提高组分均匀性，能有效降低孪晶、溶质尾迹等缺陷的几率；晶体位错密度得到有效降低，位错分布均匀，有效提高晶体质量及成品率；此种单晶生长方法有利于提高批量生产的产品一致性，产品性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | vgf 生长 质量 化合物 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
一种R‑VGF法生长高质量化合物半导体单晶工艺，其特征在于：即R‑VGF(Rotation‑Vertical Gradient Freeze)法，是在VGF法单晶生长工艺的基础上，加入旋转工艺，可获得均匀分布的径向温场，有利于轴向温场进行有效散热，从而获得适宜高质量单晶生长的温场环境；在升温熔料阶段，转速1～20r/min，在晶体生长降温阶段转速1～10r/min，旋转工艺中包含有旋转装置，旋转装置包括减速器(1)，减速器(1)通过联轴器(2)连接有旋转轴，旋转轴的上端面固定有紧固套(5)，紧固套(5)的上端套在坩埚托(6)的下部，旋转轴上安装有轴承座(3)及轴承(4)；坩埚托(6)内安放坩埚(7)，安瓿瓶(8)罩在坩埚(7)的外面；所述的联轴器(2)为十字滑块型联轴器，所述的减速器(1)为蜗轮蜗杆减速机。
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