[发明专利]一种硅硼酸铽磁光晶体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201410295002.8 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105220231B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 李如康;陈鹏允 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00;C30B9/12;G02F1/09 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司11472 | 代理人： | 王宇杨,杨青 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅硼酸铽磁光晶体及其制备方法和应用，所述硅硼酸铽晶体的化学式是Tb5Si2BO13，其空间群是P63/m，晶胞参数是a＝0.92569(10)nm，c＝0.68297(12)nm，Z＝2。本发明采用助熔剂法和熔体提拉法生长制备的硅硼酸铽磁光晶体在500～1500nm有较好的透过率，经计算在633nm的Verdet常数为‑190rad/m.T，在空气中稳定，不易潮解，不溶于水。硅硼酸铽磁光晶体在2～300K呈现顺磁性，可用于产生法拉第旋光效应，在光学和通讯领域有重要应用，例如用于制作磁光隔离器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硼酸 铽磁光 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种硅硼酸铽磁光晶体，其特征在于，所述硅硼酸铽的化学式是Tb5Si2BO13，所述硅硼酸铽晶体属六方晶系，空间群是P63/m，晶胞参数为：a＝0.92569(10)nm，c＝0.68297(12)nm，Z＝2。
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