[发明专利]三维有序大孔InVO4-BiVO4负载贵金属纳米光催化剂、制备及应用

摘要

三维有序大孔InVO₄-BiVO₄负载贵金属纳米光催化剂、制备及应用，属于光响应催化剂和纳米功能材料技术领域。本发明以3DOM结构的InVO₄-BiVO₄为载体，采用PVA或PVP保护的鼓泡还原法制备InBi-3D负载M贵金属：(a)以HAuCl₄或PdCl₂为贵金属源，以聚乙烯醇为保护剂；或以AgNO₃为贵金属源，以聚乙烯吡咯烷酮为保护剂，配置贵金属溶液；(b)将贵金属溶液加入NaBH₄，制得M金属溶胶；(c)将InBi-3D加入到M金属溶胶中，在黑暗中鼓泡，(d)过滤、洗涤、干燥。此催化剂同时具有3DOM结构、异质结结构以及等离子体效应，能够高效地降解罗丹明B、亚甲基蓝或二者混合有机染料。

主权项

三维有序大孔InVO₄‑BiVO₄负载贵金属纳米光催化剂，其特征在于，该催化剂为具有三维有序大孔结构，平均孔径为100～200nm，孔壁由单斜相InVO₄和单斜相BiVO₄构成，孔壁壁厚为20～40nm，负载的贵金属M以纳米晶形式附着于3DOM结构表面，其粒径为2.5～3.9nm,其带隙能为2.50～2.54eV，贵金属M为Au、Pd、Ag。