[发明专利]一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法，利用先进的量子点组装技术，在硅/二氧化硅衬底上，组装出单层CdSe量子点阵列膜层作为场效应管的导电沟道，随后通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在单层CdSe量子点阵列膜层及其衬底硅上分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，随后，通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于量子点膜层导电沟道的场效应管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的晶体管具有特殊量子点阵列膜层导电沟道，可充分利用量子点阵列膜层的量子尺寸效应，从而有效提高了晶体管的灵敏度，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。

主权项

  一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法，其特征在于：利用量子点自组装技术，制备出以硅/二氧化硅为衬底，以单层量子点阵列膜层为导电沟道、以金属电极分别引出相应的源极、漏极及栅极，最后再通过有机物封装制备出基于量子点膜层导电沟道的场效应管。