[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，在第一区域衬底表面形成有第一伪栅结构，在第二区域衬底表面形成有第二伪栅结构；在第一区域和第二区域衬底表面形成层间介质层；去除第一伪栅结构和第二伪栅结构，直至暴露出衬底表面，在第一区域形成第一凹槽，在第二区域形成第二凹槽；对第二凹槽底部的衬底进行掺杂处理，提高氧化工艺氧化第二凹槽底部衬底的氧化速率；采用氧化工艺进行氧化处理，在第一凹槽底部形成第一栅介质层，同时在第二凹槽底部形成第二栅介质层，且第一栅介质层厚度小于第二栅介质层厚度；在第一栅介质层表面以及第二栅介质层表面形成栅极。本发明提高形成的第一栅介质层和第二栅介质层的质量，提高半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，在所述第一区域衬底表面形成有第一伪栅结构，在所述第二区域衬底表面形成有第二伪栅结构；在所述第一区域和第二区域衬底表面形成层间介质层，且所述层间介质层顶部与第一伪栅结构和第二伪栅结构顶部齐平；去除所述第一伪栅结构和第二伪栅结构，直至暴露出衬底表面，在第一区域层间介质层内形成第一凹槽，在第二区域层间介质层内形成第二凹槽；对所述第二凹槽底部的衬底进行掺杂处理，提高氧化工艺氧化第二凹槽底部衬底的氧化速率；采用氧化工艺对所述第一凹槽底部的衬底、掺杂处理后第二凹槽底部的衬底进行氧化处理，在第一凹槽底部形成第一栅介质层，同时在第二凹槽底部形成第二栅介质层，且所述第一栅介质层厚度小于第二栅介质层厚度；在所述第一栅介质层表面以及第二栅介质层表面形成栅极，且所述栅极填充满所述第一凹槽和第二凹槽。