[发明专利]电子元件及其制法有效
| 申请号： | 201410298600.0 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN105140208B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 颜精一;蔡武卫;高伟程;陈韦翰 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明有关于一种电子元件及其制法，该电子元件包括承载板、第一金属层、介电层、半导体层、软质层、至少一第一开孔与至少一第二金属层。第一金属层配置于承载板上。介电层配置于第一金属层上，第一金属层与介电层的图案一致。半导体层配置于介电层上。软质层配置于承载板上，以包覆第一金属层、介电层与半导体层，软质层的杨氏系数小于40十亿帕斯卡。第一开孔贯穿软质层。第二金属层配置于软质层上与第一开孔中，以电性连接半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件，其特征在于，包括：承载板；第一金属层，其配置于该承载板上；介电层，其配置于该第一金属层上而未接触该承载板，且该介电层具有图案，该介电层与该第一金属层的外缘图案一致；半导体层，其配置于该介电层上；软质层，其配置于该承载板上且接触该第一金属层的侧面，以包覆该第一金属层、该介电层与该半导体层，且该软质层的杨氏模数小于40十亿帕斯卡；至少一第一开孔，其贯穿该软质层；以及至少一第二金属层，其配置于该软质层上与该第一开孔中，以电性连接该半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410298600.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种FAN-OUT的封装结构及其封装方法
- 下一篇：半导体装置
