[发明专利]用于使半导体结构退火的系统和方法有效
| 申请号： | 201410298948.X | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104599944B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;方子韦;王昭雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于使半导体结构退火的系统和方法。例如，提供半导体结构。提供能够增加半导体结构对微波辐射的吸收的能量转换材料。在能量转换材料和半导体结构之间提供热反射器，热发射器能够反射来自半导体结构的热辐射。将微波辐射应用于能量转换材料和半导体结构以使用于制造半导体器件的半导体结构退火。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 结构 退火 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种使半导体结构退火的方法，所述方法包括：提供半导体结构；提供能够增加所述半导体结构对微波辐射的吸收的能量转换材料；在所述能量转换材料和所述半导体结构之间提供热反射器，所述热反射器能够反射来自所述半导体结构的热辐射；以及将微波辐射应用于所述能量转换材料和所述半导体结构以使用于制造半导体器件的所述半导体结构退火，其中，所述热反射器能够透射所述微波辐射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
