[发明专利]一种具有亚阈值电流补偿的电流模带隙基准电压源有效

专利信息
申请号: 201410299287.2 申请日: 2014-06-27
公开(公告)号: CN104035471A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 孙伟锋;黄泽祥;张允武;祝靖;陆生礼;时龙兴 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 代理人: 王斌
地址: 214135 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种具有亚阈值电流补偿的电流模带隙基准电压源,在现有带隙基准核心电路的基础上、增设了第一MOS管亚阈值电流补偿电路和第二MOS管亚阈值电流补偿电路,通过两个亚阈值电流补偿电路对基准电流补偿NMOS管和PMOS管的亚阈值电流,即利用亚阈值电流的指数变化关系补偿传统基准电流的非线性,使得输出带隙基准电流在宽温度范围内得到补偿,输出带隙基准电压与温度变化趋缓,从而大大降低了基准电压的温度系数。
搜索关键词: 一种 具有 阈值 电流 补偿 模带隙 基准 电压
【主权项】:
一种具有亚阈值电流补偿的电流模带隙基准电压源,电流模带隙基准电压源设有带隙基准核心电路,包括运算放大器、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PNP管Q1、PNP管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4,运算放大器的同相输入端与PMOS管MP2的漏极、电阻R2的一端以及电阻R3的一端连接在一起,电阻R2的另一端接地,电阻R3的另一端连接PNP管Q2的发射极,PNP管Q2的基极和集电极均接地,运算放大器的反向输入端与PMOS管MP1的漏极、电阻R2的一端以及PNP管Q1的发射极连接在一起,电阻R2的另一端以及PNP管Q1的基极和集电极均接地,PMOS管MP1的栅极与PMOS管MP2的栅极及PMOS管MP3的栅极互连并连接运算放大器的输出端,PMOS管MP1的源极以及PMOS管MP2的源极和PMOS管MP3的源极均连接电源VDD,PMOS管MP3漏极连接电阻R4的一端,电阻R4的另一端接地;其特征在于:增设第一、第二两个MOS管亚阈值电流补偿电路,对电流模带隙基准电流进行补偿,通过MOS管近似指数变化关系的亚阈值电流温度特性,补偿基准电流的二次变化关系,实现低温度系数的带隙基准电压;第一MOS管亚阈值电流补偿电路包括NMOS管MN1、NMOS管MN2、PMOS管MP4、电阻R5、电阻R6,NMOS管MN1的漏极连接带隙基准核心电路中PMOS管MP2的漏极,NMOS管MN2的漏极连接带隙基准核心电路中PMOS管MP1的漏极,NMOS管MN1的源极和NMOS管MN2的源极均接地,NMOS管MN1的栅极与NMOS管MN2的栅极互连并连接电阻R6的一端和PMOS管MP4的漏极,电阻R6的另一端接地,PMOS管MP4的栅极连接带隙基准核心电路中运算放大器的输出端,PMOS管MP4的源极通过电阻R5连接电源VDD;第二MOS管亚阈值电流补偿电路包括PMOS管MP5、PMOS管MP6、电阻R7、电阻R8,PMOS管MP5的漏极连接带隙基准核心电路中PMOS管MP3的漏极并作为带隙基准电压源的输出端输出基准电压VREF,PMOS管MP5的源极和电阻R7的一端均连接电源VDD,PMOS管MP5的栅极与PMOS管MP6的源极以及电阻R7的另一端连接在一起,PMOS管MP6的栅极连接带隙基准核心电路中运算放大器的输出端,PMOS管MP6的漏极通过电阻R8接地。
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