[发明专利]串联式PIN结构β辐照电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201410299990.3 申请日: 2014-06-29
公开(公告)号: CN104064241A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 郭辉;黄海栗;宋庆文;王悦湖;张玉明 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G21H1/06 分类号: G21H1/06
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;朱红星
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种串联式PIN结构β辐照电池及其制备方法,主要解决现有技术中制作碳化硅PIN型β辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成;上PIN结包括N型高掺杂外延层、P型低掺杂外延层、P型高掺杂衬底、P型欧姆接触电极;下PIN结包括N型欧姆接触电极、N型高掺杂衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层;每个PIN结中包含多个沟槽,两个PIN结的高掺杂外延层通过金属过渡层接触在一起,上下沟槽镜像对称且相互贯通,每个沟槽内均放置β放射源。本发明具有放射源与半导体接触面积大,核原料利用率高,电池输出电压大的优点,可为微小电路持久供电,或为极地、沙漠等场合供电。
搜索关键词: 串联式 pin 结构 辐照 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种串联式PIN结构β辐照电池,包括:PIN单元和β放射源,其特征在于:所述PIN单元,采用上下两个PIN结串联构成;上PIN结自下而上依次为N型高掺杂外延层(4)、P型低掺杂外延层(3)、P型高掺杂衬底(2)、P型欧姆接触电极(1),下PIN结自下而上依次为N型欧姆接触电极(9)、N型高掺杂衬底(8)、N型低掺杂外延层(7)、P型高掺杂外延层(6);所述每个PIN结中均设有n个沟槽(10),其中n≥2;所述上PIN结中的N型高掺杂外延层(4)与下PIN结中的P型高掺杂外延层(6)之间通过过渡金属层(5)相连接,使上下PIN结中沟槽形成镜面对称,相互贯通的一体结构,每个沟槽内均填满β放射源(11)。
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