[发明专利]一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法无效
| 申请号： | 201410300093.X | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104112660A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 关永莉;田海军;马淑芳;韩蕊蕊;李天保 | 申请（专利权）人： | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 041600 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造技术，具体是一种提GaAs刻蚀均匀性的方法。本发明通过调节溶液配比解决了GaAs湿法刻蚀时引起的不均匀问题。其工艺步骤为：(1)将wafer进行来料清洗；(2)将清洗后的wafer通过黄光制作图形；(3)配置腐蚀液，所述腐蚀液采用体积比为1:2～6:10之间的磷酸、过氧化氢与去离子水配置；(4)使用上述腐蚀液对wafer进行刻蚀；(5)将刻蚀后的wafer进行去胶，并观察测试刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gaas 刻蚀 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：(1)将wafer进行来料清洗；(2)将清洗后的wafer通过黄光制作图形；(3)配置腐蚀液，所述腐蚀液采用体积比为1:2～6:10之间的磷酸、过氧化氢与去离子水配置；(4)使用上述腐蚀液对wafer进行刻蚀；(5)将刻蚀后的wafer进行去胶，并观察测试刻蚀的均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
