[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后，半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外，第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说，设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时，在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时，第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：(a)提供引线框架，所述引线框架包括管芯焊盘和多个引线；(b)在所述步骤(a)之后，在所述管芯焊盘之上装配半导体芯片，所述半导体芯片具有主表面以及与所述主表面相对的背表面，多个键合焊盘形成在所述主表面之上，聚酰亚胺树脂膜形成在所述主表面之上，使得所述聚亚酰胺树脂膜暴露所述键合焊盘，所述半导体芯片包括在所述主表面侧上形成的多个磁存储器元件；(c)在所述步骤(b)之后，分别经由多个键合接线将所述键合焊盘与所述引线电耦合；以及(d)在所述步骤(c)之后，使用树脂密封所述半导体芯片和所述键合接线，其中通过在260℃或更低执行热处理来形成所述聚酰亚胺树脂膜。