[发明专利]柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法。该方法以柔性石墨纸作为衬底，首先在石墨纸衬底上利用磁控溅射技术沉积硅薄膜；其次对硅薄膜进行热退火，制备出具有一定择优取向及结晶化程度好的柔性多晶硅薄膜籽晶层，以解决在柔性石墨纸衬底上直接沉积一定厚度的多晶硅薄膜而存在的晶格不匹配的问题；然后再通过磁控溅射法或化学气相沉积法对柔性多晶硅薄膜籽晶层进行外延沉积，制得外延多晶硅薄膜；最后对外延沉积的多晶硅薄膜进行热退火，增大多晶硅薄膜晶粒尺寸，降低缺陷密度，制备出柔性多晶硅薄膜。本发明制备的柔性多晶硅薄膜质量高，具有一定的择优取向，且掺杂少量碳，增强了柔性多晶硅薄膜的导电性，同时简化了生产工艺，大幅降低生产成本，可广泛用于后续薄膜太阳电池的制作。

主权项

柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法的制作工艺，其特征是，包括以下步骤：(1)选用厚度为20‑50微米的柔性石墨纸作为衬底，采用磁控溅射法和快速热退火法在柔性石墨纸衬底上制备柔性多晶硅薄膜籽晶层；(2)利用磁控溅射法或化学气相沉积法在制得的柔性多晶硅薄膜籽晶层上进行外延沉积，得到外延多晶硅薄膜，并控制多晶硅薄膜的厚度在20‑50微米之间；(3)对外延沉积后的多晶硅薄膜进行热退火，使得柔性石墨纸衬底同多晶硅薄膜结合为整体，制备出柔性多晶硅薄膜。