[发明专利]并联式PIN型α辐照电池及其制备方法无效
申请号: | 201410301092.7 | 申请日: | 2014-06-29 |
公开(公告)号: | CN104051050A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 郭辉;赵亚秋;王悦湖;张艺蒙;张玉明 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | G21H1/06 | 分类号: | G21H1/06 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;朱红星 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种并联式PIN型α辐照电池及其制备方法,主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括:并联的上、下两个PIN结和α放射源;下PIN结自下而上依次为,N型欧姆接触电极、N型高掺杂4H-SiC衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层和P型欧姆接触电极,上PIN结自上而下的结构分布与下PIN结自下而上的结构分布相同;每个PIN结中有至少两个沟槽,每个沟槽内均放置有α放射源;两个PIN结通过P型欧姆接触电极相接触,上下沟槽镜面对称且相互贯通。本发明具有放射源与半导体接触面积大,核原料利用率及能量收集率高,电池输出电压大的优点,可为微小电路持久供电,或为极地、沙漠等场合供电。 | ||
搜索关键词: | 并联 pin 辐照 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种并联式PIN型α辐照电池,包括:PIN单元和α放射源,其特征在于:所述PIN单元采用由上、下两个PIN结并联构成;下PIN结自下而上依次为,N型欧姆接触电极(5)、N型高掺杂4H‑SiC衬底(1)、N型低掺杂外延层(2)、P型高掺杂外延层(3)和P型欧姆接触电极(4),上PIN结自下而上依次为,P型欧姆接触电极(4)、P型高掺杂外延层(3)、N型低掺杂外延层(2)、N型高掺杂4H‑SiC衬底(1)和N型欧姆接触电极(5);所述两个PIN结其P型欧姆接触电极(4)的一面接触在一起,上下PIN结中沟槽形成镜面对称,相互贯通的一体结构;每个PIN结中都设有至少两个沟槽(6),每个沟槽(6)内均放置有α放射源(7),以实现对高能α粒子的充分利用。
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