[发明专利]并联式PIN型α辐照电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201410301092.7 申请日: 2014-06-29
公开(公告)号: CN104051050A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 郭辉;赵亚秋;王悦湖;张艺蒙;张玉明 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G21H1/06 分类号: G21H1/06
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;朱红星
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种并联式PIN型α辐照电池及其制备方法,主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括:并联的上、下两个PIN结和α放射源;下PIN结自下而上依次为,N型欧姆接触电极、N型高掺杂4H-SiC衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层和P型欧姆接触电极,上PIN结自上而下的结构分布与下PIN结自下而上的结构分布相同;每个PIN结中有至少两个沟槽,每个沟槽内均放置有α放射源;两个PIN结通过P型欧姆接触电极相接触,上下沟槽镜面对称且相互贯通。本发明具有放射源与半导体接触面积大,核原料利用率及能量收集率高,电池输出电压大的优点,可为微小电路持久供电,或为极地、沙漠等场合供电。
搜索关键词: 并联 pin 辐照 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种并联式PIN型α辐照电池,包括:PIN单元和α放射源,其特征在于:所述PIN单元采用由上、下两个PIN结并联构成;下PIN结自下而上依次为,N型欧姆接触电极(5)、N型高掺杂4H‑SiC衬底(1)、N型低掺杂外延层(2)、P型高掺杂外延层(3)和P型欧姆接触电极(4),上PIN结自下而上依次为,P型欧姆接触电极(4)、P型高掺杂外延层(3)、N型低掺杂外延层(2)、N型高掺杂4H‑SiC衬底(1)和N型欧姆接触电极(5);所述两个PIN结其P型欧姆接触电极(4)的一面接触在一起,上下PIN结中沟槽形成镜面对称,相互贯通的一体结构;每个PIN结中都设有至少两个沟槽(6),每个沟槽(6)内均放置有α放射源(7),以实现对高能α粒子的充分利用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410301092.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top