[发明专利]一种In2S3/CuInS2薄层敏化的宽带半导体光阳极及其制备方法在审
| 申请号： | 201410302030.8 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104167294A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 徐雪青;安萍;梁柱荣;徐刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院广州能源研究所 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042 |
| 代理公司： | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人： | 莫瑶江 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种In2S3/CuInS2薄层敏化的宽带半导体光阳极，由导电基片、宽带半导体膜层和In2S3/CuInS2薄层组成，在导电基片表面沉积有宽带半导体膜层以构成宽带半导体膜电极，在宽带半导体膜电极表面先后包覆In2S3与CuInS2薄层，In2S3的厚度在1-5nm之间，CuInS2的厚度在2-15nm之间。采用连续离子层吸附反应法制备。本发明的In2S3/CuInS2薄层敏化光阳极结构不仅制备工艺简便，可通过控制溶液浓度及敏化次数控制晶粒大小，优化CuInS2的化学计量比，减少材料缺陷，而且引入的缓冲层In2S3能有效抑制电子复合，有利于电子注入，并可以有效避免因CuInS2中的Cu扩散到TiO2而带来的污染和其化学计量比的变化，对于提高CuInS2半导体纳米晶敏化太阳电池光电转换效率具有积极意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 in sub cuins 薄层 宽带 半导体 阳极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种In2S3/CuInS2薄层敏化的宽带半导体光阳极，其特征在于由导电基片、宽带半导体膜层和In2S3/CuInS2薄层组成，在导电基片表面沉积有宽带半导体膜层以构成宽带半导体膜电极，在宽带半导体膜电极表面先后包覆In2S3与CuInS2薄层，In2S3的厚度在1‑5nm之间，CuInS2的厚度在2‑15nm之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院广州能源研究所，未经中国科学院广州能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410302030.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
- 水溶性闪锌矿结构的CuInS<sub>2</sub>和CuInS<sub>2</sub>/ZnS核壳结构量子点及其制备方法
- 一种水溶性闪锌矿结构CuInS<sub>2</sub>或/和CuInS<sub>2</sub>/ZnS核壳结构量子点的制备方法
- CuInS<sub>2</sub>纳米晶及CuInS<sub>2</sub>/ZnS核壳结构纳米晶的制备方法
- 一种基于TiO<sub>2</sub>-CuInS<sub>2</sub>核壳纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法
- 高效低成本染料敏化太阳能电池对电极材料一维铜铟硫-硫化锌异质结纳米晶的制备方法
- 一种CuInS<sub>2</sub>/ZnS和CuInS<sub>2</sub>/CdS/ZnS核壳结构量子点的制备方法
- CuInS<sub>2</sub>单晶体的制备方法和CuInS<sub>2</sub>单晶体制备装置
- 一种还原石墨烯-CuInS<sub>2</sub>复合材料制备方法
- 一种含纤锌矿孪晶结构的铜铟硫纳米晶及其制备方法
- 一种在CuFeO<sub>2</sub>/CuInS<sub>2</sub>复合半导体薄膜电极上将CO<sub>2</sub>还原为甲醇的方法
