[发明专利]功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410302836.7 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104253155B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李奎炫;金永哲;朴庆锡;李峰龙;崔嵘澈 | 申请（专利权）人： | 快捷韩国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了具有改善的场阑层的功率器件及其制造方法。所述功率器件包括：由半导体衬底形成的并且为第一导电型的第一场阑层；形成在所述第一场阑层上的并且为所述第一导电型的第二场阑层，所述第二场阑层具有杂质浓度高于所述第一场阑层的区域；形成在所述第二场阑层上的并且为所述第一导电型的漂移区，所述漂移区具有的杂质浓度低于所述第一场阑层；形成在所述漂移区上的多个功率器件单元；以及形成在所述第一场阑层下面的集电极区，其中所述第二场阑层包括具有第一杂质浓度的第一区域和具有第二杂质浓度的第二区域，所述第二杂质浓度高于所述第一杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，包括：第一导电型的第一场阑层；形成在所述第一场阑层上的并且为所述第一导电型的第二场阑层，所述第二场阑层具有杂质浓度高于所述第一场阑层的区域；形成在所述第二场阑层上的并且为所述第一导电型的漂移区，所述漂移区具有的杂质浓度低于所述第一场阑层；形成在所述漂移区上的多个功率器件单元；以及形成在所述第一场阑层下面的集电极区，其中所述第二场阑层包括具有第一杂质浓度的第一区域和具有第二杂质浓度的第二区域，所述第二杂质浓度高于所述第一杂质浓度；其中，所述第一区域具有杂质浓度分布，所述杂质浓度分布沿着所述第二场阑层的垂直方向从所述第一区域与所述漂移区的界面增加至第一最大杂质浓度、并且沿着所述垂直方向从所述第一最大杂质浓度减小至所述第一区域与所述第一场阑层的界面；以及所述第二区域具有杂质浓度分布，所述杂质浓度分布沿所述第二场阑层的垂直方向从所述第二区域与所述漂移区的界面增加至第二最大杂质浓度、并且沿着所述垂直方向从所述第二最大杂质浓度减小至所述第二区域与所述第一场阑层的界面，所述第一最大杂质浓度不同于所述第二最大杂质浓度；其中，所述第一场阑层在深度方向上具有均匀的杂质浓度分布。
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