[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201410302915.8 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104091832B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 谢振宇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，能够有效降低薄膜晶体管边缘漏电流IOFF(edge)。该薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极，所述有源层的侧面上设置有氧化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 阵列基板 源层 氧化硅层 漏电流 漏极 源极 制作 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括有源层、栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括仅在所述有源层的侧面上设置的用于降低薄膜晶体管边缘漏电流IOFF的氧化硅层、以及覆盖所述有源层和所述氧化硅层的栅极绝缘层；所述栅极设置于所述栅极绝缘层上方。
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