[发明专利]一种单晶硅表面划痕损伤层厚度的检测方法在审
| 申请号： | 201410304805.5 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104034296A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 钱林茂;徐乐;余丙军;郭剑;陈磊 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | G01B21/08 | 分类号： | G01B21/08 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种单晶硅表面划痕损伤层厚度的检测方法，其步骤是：A、在化学机械抛光法抛光后的单晶硅晶圆上切取出单晶硅样品，对其使用原子力显微镜进行扫描，得到单晶硅样品表面的三维形貌，并测出其中的凹陷深度；B、将单晶硅样品放置于质量分数为15-25％的HF溶液中刻蚀20-40分钟，取出单晶硅样品并用丙酮和酒精依次清洗，再使用原子力显微镜进行扫描，得到刻蚀后的单晶硅样品表面三维形貌，并测出其中的凹陷深度；C、将B步得到的凹陷深度与A步的对应位置处的凹陷深度相减，得到刻蚀后凹陷深度增加值即为单晶硅表面划痕损伤层厚度。该方法的制样、检测过程简单，检测时间短、所需样本材料小、检测成本低，检测结果精确、直观。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 表面 划痕 损伤 厚度 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅表面划痕损伤层厚度的检测方法，其步骤是：A、在化学机械抛光法抛光后的单晶硅晶圆上切取出2mm×2mm至5mm×5mm的单晶硅样品，使用原子力显微镜对单晶硅样品进行扫描，得到单晶硅样品表面的三维形貌，并测出单晶硅样品表面的三维形貌中的凹陷深度；B、将单晶硅样品放置于质量分数为15‑25％的HF溶液中刻蚀20‑40分钟，取出单晶硅样品并用丙酮、酒精依次清洗后，再使用原子力显微镜进行扫描，得到刻蚀后的单晶硅样品表面的三维形貌，测出该单晶硅样品表面的三维形貌中的凹陷深度；C、将B步得到的单晶硅样品表面的三维形貌中的凹陷深度与A步得到的单晶硅样品表面的三维形貌中对应位置处的凹陷深度相减，得到刻蚀后凹陷深度增加值；该凹陷深度增加值即为单晶硅表面划痕损伤层厚度。
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