[发明专利]栅偏振元件、光取向装置、偏振方法及栅偏振元件制造方法有效
| 申请号： | 201410305311.9 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104280808B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 鹤冈和之;影林由郎 | 申请（专利权）人： | 优志旺电机株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G02F1/1337 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种偏振元件、光取向装置、偏振方法及栅偏振元件制造方法，所述偏振元件，能够将从可见短波长区域至紫外区的偏振光向某种程度的大区域照射，在消光比和透过率等基本性能方面具有优良的特性。设置于透明基板1上的条纹状的栅格(2)由非晶硅形成，在使用波长中折射率实数部n比衰减系数k大。设构成栅格(2)的各线状部(21)与一侧的相邻的线状部的距离为t、与另一侧的相邻的线状部的距离为T时，栅格(2)周期性地具有实质上t＜T的部分。设各线状部(21)的宽度的平均值为w时，在t＜T的部分处于t/T＞0.0159w+0.3735的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 偏振 元件 取向 装置 方法 制造 | ||
【主权项】：
一种栅偏振元件，其特征在于，该栅偏振元件由透明基板和设置在透明基板上的条纹状的栅格构成，使330nm以上的波长的光偏振，构成栅格的各线状部是由在波长330nm以上中折射率实数部n比衰减系数k大的非晶状的硅膜形成，将构成栅格的各线状部与一侧的相邻的线状部的距离设为t，将与另一侧的相邻的线状部的距离设为T时，栅格周期性地具有实质上t＜T的部分，将所述各线状部的宽度的平均值设为w时，在所述t＜T的部分，处于t/T＞0.0159w+0.3735的关系，其中，t、T、w的单位为纳米。
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