[发明专利]硼掺杂直拉硅单晶p/p+外延片铜沾污后获得洁净区的方法

摘要

硼掺杂直拉硅单晶p/p⁺外延片铜沾污后获得洁净区的方法，涉及硅单晶p/p⁺外延片。1)准备3组样品，将第1组样品浸入CuCl₂溶液中进行铜沾污，然后分别在1100～1300℃N₂，O₂和Ar气氛下热处理，将第2、3组样品直接分别在1100～1300℃N₂，O₂和Ar气氛下热处理；2)将步骤1)热处理过的第2组样品进行铜沾污，然后在600～800℃下保温；将步骤1)热处理过的第1,3组样品直接在600～800℃下保温；3)将步骤2)处理过的第3组样品进行铜沾污，然后在900～1100℃下保温；将步骤2)处理过的第1,2组样品直接在900～1100℃下保温。

主权项

硼掺杂直拉硅单晶p/p⁺外延片铜沾污后获得洁净区的方法，其特征在于包括以下步骤：1)准备3组样品，将第1组样品浸入CuCl₂溶液中进行铜沾污，然后分别在1100～1300℃N₂，O₂和Ar气氛下热处理60～90s，将第2、3组样品直接分别在1100～1300℃N₂，O₂和Ar气氛下热处理60～90s；2)将步骤1)热处理过的第2组样品进行铜沾污，然后在600～800℃下保温6～8h；将步骤1)热处理过的第1,3组样品直接在600～800℃下保温6～8h；3)将步骤2)处理过的第3组样品进行铜沾污，然后在900～1100℃下保温12～16h；将步骤2)处理过的第1,2组样品直接在900～1100℃下保温12～16h，实现硼掺杂直拉硅单晶p/p⁺外延片铜沾污后获得洁净区。